6月25日，IBM宣布推出全球首款亚1nm芯片技术，采用创新性晶体管架构，工艺节点达0.7nm。这一成果标志着半导体行业迎来里程碑时刻。当前传统芯片微缩工艺已逼近物理极限。
全新亚1nm芯片可在指甲盖大小的芯片上集成近1000亿枚晶体管，晶体管密度约为该公司2021年发布的2nm芯片的两倍。依托三维纳米堆叠架构等一系列结构与材料层面的突破性创新，该技术证明：即便芯片元器件尺寸逼近原子级别，性能与能效仍能实现持续提升。
消息公布后，IBM美股盘前快速拉升，涨幅一度扩大至6%。截至6月24日美股收盘，IBM报262.96美元，微跌0.75%，市值为2472亿美元。
已公开的实测技术数据显示，这款全新芯片相较IBM 2nm工艺芯片，综合性能最高可提升50%，同等算力下能效提升70%，可用于生成式人工智能、云基础设施及下一代电子设备等各类算力场景。
IBM研究院院长杰伊·甘贝塔表示：“IBM本次芯片突破将半导体工艺从纳米时代推进至原子尺度。依托全新纳米堆叠架构，我们不只是制造尺寸更小的晶体管，更是重构芯片底层制造逻辑，实现算力与能效的跨越式提升。”
为开发这款芯片，IBM研发团队打造了一套全新晶体管架构，命名为“纳米堆叠”，也是全球已知首款基于纳米片的三维晶体管设计。IBM称，纳米堆叠架构相比由IBM首创、当前行业主流的纳米片工艺实现跨越式升级。该架构将晶体管纵向分层交错堆叠，利用三维集成工艺在单颗芯片上集成更多晶体管，同时允许各堆叠层采用差异化材料组合，可独立优化每一枚晶体管的性能与功耗。
